麦克斯韦引入了位移电流和位移电流密度后,使全电流线成为了永远的闭合曲线,揭示了除了传导电流产生磁场外,变化的电场也能产生磁场,可用图 8-4 将变化的电场产生的磁场与变化的磁场产生的电场加以对比。
麦克斯韦在系统地研究了各种电磁现象后,提出了变化的磁场可以产生涡旋的感应电场的理论,从而合理地解释了法拉第电磁感应定律;引入了位移电流的假设,这不仅保持了电流的连续性,而且推广了安培环路定理。1853年,麦克斯韦将描述电磁现象的全部规律归纳在一个方程组中,此即人们所称的麦克斯韦方程组。
根据麦克斯韦理论,在一般情况下,电场 E 和电位移场 D 是由净电荷激发的 E(1) 、 D(1) 和变化磁场激发的 E(2) 、 D(2) 共同组成,即
E=E(1)+E(2)
D=D(1)+D(2)
因此,E 的环流为
∮IE⋅dl=∮I(E(1)+E(2))⋅dl=∮IE(1)⋅dl+∮IE(2)⋅dl
由于静电场中的环路积分为零,即 ∮lE(1)⋅dl=0 ,感应电场的环路积分为
∮lE(2)⋅dl=−∫S∂t∂B⋅dS
代入上式后得
∮lE⋅dl=−∫s∂t∂B⋅dS
(8.2.1)
上式即为法拉第电磁感应定律,其物理意义为:在任意电场 E中的环路积分,等于该环路所围面积内磁通量随时间变化率的 负值。
而电位移 D 的通量为
∮SD⋅dS=∮S(D(1)+D(2))⋅dS=∮SD(1)⋅dS+∮SD(2)⋅dS
其中静电场中电位移通量由高斯定理得出
∮SD(1)⋅dS=q=∫VρdV
而由于感应电场 E(2) 和感应电位移场 D(2) 均为涡旋场, E(2) 和
We can scarcely avoid the inference that light consists in the transverse undulations of the same medium which is the cause of electric and magnetic phenomena. (James Clerk Maxwell)

NOTE
D(2) 线是都闭合曲线,所以 D(2) 穿过任意闭合曲面的通量等于零,即
∮SD(2)⋅dS=0
因此有
∮cD⋅dS=∫VρdV(8.2.2)
此式为电场中的高斯定理,反映出电场的性质。
同样,在一般情况下,H 和 B 也是由传导电流和位移电流共同产生的。设由传导电流产生的磁场强度、磁感应强度分别为 H(1) 、 B(1) ;由位移电流产生的磁场强度、磁感应强度分别为 H(2) 、 B(2) 。由于无论何种原因产生的 B 线都是闭合曲线,所以通过任何闭合曲面磁感应强度 B 的通量恒为零,即
∮SB⋅dS=0(8.2.3)
此式称为磁场中的高斯定理,反映出任何情况下 B 场都是涡旋场,描述磁场的曲线都是闭合的,单一磁荷是不存在的。
而磁场强度 H 的环流为
∮lH⋅dl=∮l(H(1)+H(2))⋅dl=∮lH(1)⋅dl+∮lH(2)⋅dl
由安培环路定理, ∮lH(1)⋅dl=Ic=∫sJc⋅dS 。式中 Ic 代表传导电
流, Jc 代表传导电流密度。又由 ∮tH(2)⋅dl=∫s∂t∂D⋅dS ,将两式同时代入上式得
∮lH⋅dl=∫s(Jc+∂t∂D)⋅dS
(8.2.4)
式(8.2.4)称为全电流安培环路定理,反映出产生磁场的两种原因,即传导电流和变化的电场。
应该指出,对于静电场和恒定磁场而言,电场 E、电位移 D、磁感应强度 B 和磁场强度 H 都只是位置的函数,而与时间无关;而麦克斯韦引入了位移电流和涡旋电场后,E、D、B、H 不仅仅是位置的函数,而且还是时间的函数。
将式(8.2.1)、(8.2.2)、(8.2.3)、(8.2.4)写在一起,称为麦克斯韦方程组:
麦克斯韦方程组中的各方程分别 具有什么意义?
∮lE⋅dl=−∫s∂t∂B⋅dS
∮sD⋅dS=∫VρdV\hfill(8.2.5)
∮sB⋅dS=0
∮lH⋅dl=∫S(Jc+∂t∂D)⋅dS
在此, 笔者认为有必要着重强调其中的第一式和第四式的物 理意义。第一式:着重强调了变化的磁场会产生涡旋电场;第四 式:着重强调传导电流和变化的电场都能激发磁场,结合其中的 第三式,说明不论是什么原因形成的磁场都是涡旋场,描述磁场 的场线都是闭合曲线。
如果考虑到有电磁场存在的空间中充满各项各向同性介质 的情况,上述麦克斯韦方程组还不算完备,须考虑各种场量还有 如下关系:
D=εE
B=μH
J=σE
麦克斯韦方程组在电磁学中的地位十分重要,相当于力学中 的牛顿定律。原则上讲,只要知道了各种场量的边界条件和初始 条件,一切有关电磁场中的动力学问题都能够描述。麦克斯韦方 程组不仅是电磁学的理论基础,而且也是波动光学的理论基础, 有关这一点在以后的电磁波和波动光学等章节中会显现出来。


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